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Wafer带来的尴尬!(EV&HEV 行业HALL-IC)

    简单普及一下。

       EV&HEV电机驱动控制部分大多用的是Allegro(美国),Melesix(比利时)的ASIC的霍尔芯片,从封装工艺来说都是属于SOC的系统性芯片,但是性能有待商榷。

       我无意诋毁这俩家公司,存在即为真理,他们肯定是有自己的优势的。我所说的只是一个简单的芯片普及,特别是针对 EV&HEV行业,告诉大家什么才是**产品应用。

           

 

    对于霍尔的敏感器件,wafer是核心,这是无可争辩的,这么多年来,我们一直用于精度测量的霍尔电流传感器的霍尔电路(有区别于IC)都是以GaAs(砷化镓);InSb(锑化铟);AsIn(砷化铟)为主。不要看只是简单的材质变化,对于敏感器件,这是目前对于霍尔原理*为**的电路材质,目前地球上*好的,好处是什么?可以去百度。

       回到主题,Allegro,Melesix是什么?硅(SI)基,也是*为简单的,*为廉价的,*为常用的。硅基没有不好,只是对于霍尔的电流传感器,是差的(敏感度极低),Allegro,Melesix的IC就是一种硅基的SOC芯片。简单的测量或者要求不高的变频控制可以满足,我不敢说的那么的透彻。总之无论是温度性能,敏感度,带宽,响应时间,抗干扰性能等等,和GaAs(砷化镓);InSb(锑化铟);AsIn(砷化铟)不是一个级别的东西。有一点他们做的很好,就是牛吹的很大。哦,我又错了,是广告做的好。

           

    很可惜GaAs(砷化镓);InSb(锑化铟);AsIn(砷化铟)统统来自于日本,美国人民也不掌握核心技术。国内有一个科学家拥有这项技术,但是识货者太少。Z总,抱歉。

       举个形象点的例子,硅基的霍尔IC(ASIC)就好比是一个三层楼的地基上盖了一个摩天大厦,所有的性能优势都是靠IC内部模块的补偿来弥补;行与不行都不是他们这些所谓的跨国公司所能决定的,因为wafer不掌握在他们的手里;

       GaAs(砷化镓);InSb(锑化铟);AsIn(砷化铟)的霍尔IC就好比一个二十层楼的地基上盖了一个三层的小楼,拓展空间无限。不管我们爱与不爱,愿不愿去接受,这个技术目前只有小日本拥有。

            

 

   我们只是有幸在用!EV&HEV霍尔电流传感器,我们是*好的!!!

      对于应用,主要的区别在哪里,下期详述。

                           

                                                                                          江苏中霍EV&HEV工程技术中心