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如何采用电流传感器实现干扰*小化
　　如何采用电流传感器实现干扰*小化，你知道吗？下面就一起来看看吧！
如何采用电流传感器实现干扰*小化
简介
Allegro MicroSystems电流传感器IC可以分为三大类：需要外部磁芯的传感器、具有封装内置磁芯的传感器，以及具有集成载流环（但无磁芯）的传感器。*后一类就是具有共模场抑制（CMR）功能的传感器。本文将探讨CMR的机制，并重点介绍如何充分利用此机制来优化电路板设计和布局。
背景
在使用集成载流环的IC中，载流环可以产生IC能测量的磁场。该磁场通过霍尔效应转换成电压。此霍尔电压正比于电流大小和方向。图1是特定电流传感器IC引线框产生磁场的示例。在该图中，箭头指示通过引线框的电流，彩**表示100A直流电通过传感器时产生的磁场。
使用配备集成载流环的IC具有很多优势：无需磁芯、基本没有磁滞、功率低、并且具有较高的温度**度。但是，由于不存在磁芯，传感器容易受到磁体或传感器IC周围导线电流产生的杂散磁场的影响。为了抑制杂散磁场的出现，Allegro的很多电流传感器都具有双霍尔共模抑制方案。霍尔板的布置方式要确保当电流通过IC集成导体或载流环时，每个霍尔板感应的场极性相反。
采用CMR技术的基本原理是：如果两个霍尔板的信号相减，然后可以将集成环引发的信号求和，这样就可以抑制来自进入IC的任何杂散磁场共模（单极）信号。
简单举例，假定每个霍尔板的磁场±B大小相等，方向相反，则：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B – B2 = B – （–B）
B – （–B） = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
假定两个霍尔板上具有相等的杂散磁场Bext,则：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B1 – B2 = （B + Bext ） – （–B + Bext）
（B + Bext ） – （–B + Bext ） = 2 × B + Bext – Bext
2 × B + Bext – Bext = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
Allego的其它技术资料《无磁芯霍尔效应电流传感器IC采用的共模场抑制技术》更详细地介绍了CMR技术的理论和指导方程。本文介绍的主要技术是如何设计和布置这些电流传感器IC的载流线路。此外，本文也提供了*小化其他杂散来源的指南。
以上就是关于如何采用电流传感器实现干扰*小化的详细介绍，相信大家也都知道了，希望可以帮到大家！
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