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电流传感器IC下的扩展
　　电流传感器IC下的扩展，你知道吗？下面就一起来看看吧！
电流传感器IC下的扩展
临近电流产生的磁场
为了充分利用这些器件的CMR功能，包含IC的电路板应设计为两个霍尔板的外部磁场相同。这有助于*大限度减少载流PCB自身产生的外部磁场导致的错误。每个载流轨迹的三个主要参数据决定了导致IC错误：与IC的距离、载流体的宽度以及它和IC之间的角度。
两个霍尔板的位置和方向随IC的不同而有所变化。
如果无法保持θ接近90°，下一个*好的选择是保持电流路径与电流传感器IC之间距离d尽可能大。假定电流路径与IC的夹角*差，即θ=0°或180°
此处，H距离是两个霍尔板之间的距离，Cf是IC耦合因数。此耦合因数随IC不同而变化。ACS780的耦合因数是5至5.5G/A,而其他Allegro IC的耦合因数范围是10至15G/A.
误差估计
等式1假定是无限长、无限细的导线。它没有考虑载流导体的宽度和厚度。图4是在*差条件方向（θ = 0° 或180°）计算得出的通过ACS780的载流体误差。该误差是采用理想等式以及考虑导体宽度和厚度的计算密集方程组计算得出。
使用更**的计算方法可以为不同宽度的电流路径以及器件和电流路径之间不同的角度计算误差。对于所有角度和宽度，都假定使用4盎司规格铜导体设定电流轨迹厚度。
其他需要考虑的布局原则
如果布置包含具有CMR的Allegro电流传感器IC的电路板，所有载流路径的方向和接近性是重要因素，但优化IC性能还要考虑其他因素。可能影响系统误差的其他杂散场来源包括与IC集成载流体相连的轨迹以及临近长久磁体的位置。
必须小心规划电路板与电流传感器IC的连接方式。可能影响性能的常见错误是：
电流路径到IP管脚的接近角度
电流轨迹在IC下面扩展得过远
IC下的扩展
另一个常见错误是电流轨迹与IP管脚距离过远。根据器件的不同，这可能导致两种不同的问题。如果是采用SOIC和类似封装的器件，这可能导致IC上产生杂散场，使性能降低。如果采用LR封装，由于IP总线较大并且暴露在外，在封装下面过远布线可能改变通过IP总线的电流路径，从而改变器件的性能。下面内容将更详细地介绍对LR封装的影响。
对于杂散场而言，如果电流轨迹以一定的角度进入IP总线，问题会更加严重。如果发生这种情况，电流实际在部件下面流过，背向IP管脚，然后向上通过IP管脚。改变的电流路径可能会导致杂散场产生，降低IC精度。禁止在器件下面扩展至IP管脚的电流轨迹就可以防止这种情况。
以上就是关于电流传感器IC下的扩展的详细介绍，相信大家也都知道了，希望可以帮到大家！
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